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Sinton離線晶片少子壽命測(cè)試儀 WCT-120

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蘇州上器試驗(yàn)設(shè)備有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

WCT儀器展示Sinton的測(cè)量和分析技術(shù)，包括半標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)系數(shù)（QSSPC)測(cè)量方法，該方法由Sinton公司在1994年研發(fā)。載流子合復(fù)壽命經(jīng)過準(zhǔn)確校準(zhǔn)的測(cè)量方式，廣泛應(yīng)用于太陽能單晶和多晶硅片。

詳細(xì)介紹

的瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)

QSSPC技術(shù)對(duì)于監(jiān)測(cè)多晶硅硅片，摻雜劑的擴(kuò)散，和低壽命樣本是理想的技術(shù)。這種方法補(bǔ)充了瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)的運(yùn)用。瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)在這臺(tái)設(shè)備上也是標(biāo)準(zhǔn)的。

QSSPC壽命測(cè)量

QSSPC壽命測(cè)量也產(chǎn)生隱含的開路電壓（與lllumination)曲線，這可以與an1-v曲線在太陽能電池過程的各個(gè)階段進(jìn)行比較。

優(yōu)秀的軟件數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)

Sinton設(shè)備的分析能為每個(gè)晶片產(chǎn)生校準(zhǔn)載流子注入水平，所以你可以以一個(gè)物理上的方式解讀壽命數(shù)據(jù)。每次測(cè)量都會(huì)顯示和記錄特定的參數(shù)。

WCT系統(tǒng)功能

單擊即可鎖定晶硅片的關(guān)鍵參數(shù)，包括方塊電阻、少子壽命、陷阱密度、發(fā)射極飽和電流密度和暗電壓

?制造過程的逐步監(jiān)測(cè)和優(yōu)化

?監(jiān)測(cè)初始材料質(zhì)量

?晶片加工過程中檢測(cè)重金屬雜質(zhì)

?評(píng)估表面鈍化和發(fā)射極摻雜擴(kuò)散

?使用隱含V測(cè)量評(píng)估過程引起的分流

項(xiàng)目	內(nèi)容
測(cè)量參數(shù)	少子壽命、電阻率、發(fā)射極飽和電流密度、陷阱濃度、標(biāo)準(zhǔn)太陽下Voc
壽命測(cè)量范圍	100nm-10ms
測(cè)量（分析）模式	QSSPC，瞬態(tài)和歸一化壽命分析
電阻率測(cè)量范圍	3-600（未摻雜）Ohms/sq
可得到的偏壓范圍	0-50suns
可得到的光譜	白光和紅外光
感應(yīng)范圍	直徑40mm
樣品尺寸，標(biāo)準(zhǔn)配置	標(biāo)準(zhǔn)直徑：40-230mm
硅片厚度范圍	10-2000um